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壓敏電阻直流作用下的老化機理

直流作用下。反偏壓側(cè)的Zni向晶界遷移，中和了部分VZn，使表面受主態(tài)密度下降，勢壘降低，阻性電流增大。直流電壓作用下的老化不對稱，是因為測試電壓極性如與老化時加的電壓一致，電壓主要加在正極性側(cè)的耗盡層上，而這一側(cè)可遷移的填隙鋅離子已不多；如極性相反，則電壓主要加在另一側(cè)的耗盡層上，而這側(cè)有大量的填隙鋅離子，所以阻性電流大。

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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的電流為1mA時所對應(yīng)的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標(biāo)準(zhǔn)，該電壓用U1mA表示，稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預(yù)擊穿區(qū)和擊穿區(qū)轉(zhuǎn)折點的一個參數(shù)，一般情況下是一般情況下是1mA（Φ5 產(chǎn)品為0.1mA）直流電流通過時，產(chǎn)品的兩端的電壓值，其偏差為±0.1%。

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殘壓比KR  

通過壓敏電阻器的電流為某一值時，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。

殘壓比KR的定義公式為：

KR =UR/UN

殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應(yīng)用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標(biāo)準(zhǔn)電性能參數(shù)。

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